美光发布36GB HBM3E内存:功耗更低 速度更快

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美光发布36GB HBM3E内存:功耗更低 速度更快

美光发布36GB HBM3E内存:功耗更低 速度更快

美光公司近来宣告已完结12-Hi仓库的高带宽内存HBM3E新一代产品,单颗容量达到了惊人的36GB。这一技能将应用于尖端人工智能(AI)和高性能核算(HPC)产品的开发,例如NVIDIA H200、B200加速卡等。据悉,这款新式内存无需频频调用CPU即可轻松处理包括700亿参数的大模型Llama2。

值得一提的是,这款12-Hi 36GB HBM3E内存具有高达9.2Gbps的超高速率,其单颗就能供给超越1.2TB/s的惊人带宽,而且功耗比8-Hi版别更低。

此外,该产品选用台积电CoWoS封装技能制作,也便是遍及运用于NVIDIA H100、H200等加速卡的技能。这使得两者之间能够轻松调配运用。

值得一提的是,这款新式内存支撑彻底可编程的MBIST(内存内置自测验),能够模仿全速下的体系负载进行测验验证,然后加速产品的上市进程。

美光公司表明,这款12-Hi HBM3E内存现已向要害同伴进行了验证,而且现已开端供给给这些同伴进行进一步的验证。

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